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J-GLOBAL ID:200903003625142525
露光方法および露光装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
宮崎 昭夫
, 石橋 政幸
, 緒方 雅昭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006070855
Publication number (International publication number):2007250741
Application date: Mar. 15, 2006
Publication date: Sep. 27, 2007
Summary:
【課題】スループットの改善を図ることができる露光方法およびその実施に好適な露光装置を提供する。【解決手段】レチクル21に設けられたブランク露光用の開口部23に露光光を照射し、該開口部23を通過した前記露光光を、ウェーハ15の外周部のブランク領域13に照射することでブランク露光工程が行われる。この工程においては、レクチル21を静止させた状態で、ウェーハ15のみを走査させながら露光光が前記ウェーハに向けて照射されるようになっている。【選択図】図4
Claim (excerpt):
レチクルに設けられたブランク露光用の開口部を通過した前記露光光を、ウェーハ外周部のブランク領域に照射する露光方法であって、
前記露光光を照射する工程は、前記レクチルを静止させた状態で前記ウェーハのみを走査させながら、前記露光光を前記ウェーハに向けて照射する露光方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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走査型露光装置および露光方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-210305
Applicant:キヤノン株式会社
Cited by examiner (3)
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露光方法及びこれを遂行するためのレチクル、レチクルアセンブリー及び露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-364127
Applicant:三星電子株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-152367
Applicant:トレセンティテクノロジーズ株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-310031
Applicant:株式会社ルネサステクノロジ
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