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J-GLOBAL ID：200903003662314174

単結晶基板の加工方法

Inventor： 梅津 一成 ,  吉村 和人 ,  澤木 大輔 ,  山崎 豊
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003304660
Publication number (International publication number)：2005074663
Application date： Aug. 28, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】単結晶からなる材料で構成される基板に、微細で高アスペクト比の貫通孔又は非貫通孔を形成するための単結晶基板の加工方法を提供する。【解決手段】単結晶からなる材料で構成される基板1に貫通孔2を所定の経路8で形成する加工方法であって、基板1にレーザ光を照射して、所定の経路8に沿って材料を変質させて材料変質部7を形成するレーザ光照射工程(同図(b)〜(d))と、材料変質部7をエッチングして、所定の経路8で貫通孔2を形成する異方性エッチング工程(同図(e))と、を有する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

単結晶からなる材料で構成される基板に非貫通孔又は貫通孔を所定の経路で形成する加工方法であって、 前記基板にレーザ光を照射して、前記所定の経路に沿って前記材料を変質させて材料変質部を形成するレーザ光照射工程と、 前記材料変質部をエッチングして、前記所定の経路で前記非貫通孔又は前記貫通孔を形成する異方性エッチング工程と、を有することを特徴とする単結晶基板の加工方法。

IPC (2)：

B28D5/00 ,  B23K26/00

FI (2)：

B28D5/00 Z ,  B23K26/00 G

F-Term (14)：

3C069AA04 ,  3C069BA08 ,  3C069BB01 ,  3C069BB04 ,  3C069CA00 ,  3C069EA02 ,  3C069EA05 ,  4E068AA01 ,  4E068AF02 ,  4E068CA01 ,  4E068CD02 ,  4E068CD03 ,  4E068CE01 ,  4E068DA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• インクジェット式記録ヘッドの流路形成基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-340657   Applicant：セイコーエプソン株式会社

Cited by examiner (5)

• レーザ支援加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-012372   Applicant：株式会社東京インスツルメンツ, 科学技術振興事業団, 三澤弘明
• インクジェット式記録ヘッドの流路形成基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-340657   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• レーザ加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-093213   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
• エキシマレーザ加工方法及び加工された基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-096143   Applicant：住友電気工業株式会社
• Qスイッチレ-ザによる穴あけ加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-012132   Applicant：日本電気株式会社