不揮発性メモリ抵抗体セル及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：政木良文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005361983
Publication number (International publication number)：2006203178
Application date： Dec. 15, 2005
Publication date： Aug. 03, 2006
Summary：

【課題】双極性パルスによる書き換え可能な非対称構造の不揮発性メモリ抵抗体セル及びその製造方法を提供する。【解決手段】製造方法は、ナノチップ104を備えた第1電極102の形成、ナノチップ104付近のメモリ抵抗体材料106の形成、及び、メモリ抵抗体材料106付近の第2電極108の形成を含み、その結果、メモリ抵抗体材料106は第1電極102と第2電極108の中間に位置する。通常、ナノチップ104は酸化イリジウム(IrOx)で形成され、底部寸法が約50nm以下であり、突起高が5〜50nmの範囲であり、突起密度が1μm2当たり100本を越える。一態様において、基板材料は、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、もしくは貴金属である。Irの堆積には、有機金属化学的気相成長法(MOCVD)を用いる。IrOxナノチップは堆積したIrから成長する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ナノチップ(nanotip:超微小突起)を備えた第1電極を形成する工程と、前記ナノチップに隣接するメモリ抵抗体材料を形成する工程と、前記メモリ抵抗体材料に隣接する第2電極を形成する工程と、を備え、前記メモリ抵抗体材料が前記第1電極と前記第2電極の間に位置することを特徴とする不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/10 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08

FI (3)：

H01L27/10 451 , H01L27/10 447 , H01L43/08 M

F-Term (9)：

5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA60 , 5F083PR21 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第6,693,821号明細書

Cited by examiner (6)

プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-599033 Applicant：アリゾナボードオブリージェンツ
マルチステートエレメントを有するメモリー・アレーと該アレーあるいは該アレーのセルを形成するための方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-501467 Applicant：ミクロンテクノロジーインコーポレイテッド
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-097798 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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