CVD用原料化合物及びイリジウム又はイリジウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田中大輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002129502
Publication number (International publication number)：2003321416
Application date： May. 01, 2002
Publication date： Nov. 11, 2003
Summary：

【要約】【解決課題】イリジウム又はイリジウム化合物薄膜を製造するためのCVD用原料化合物において、常温で液体状態であることを前提とし、更に蒸気圧が高く薄膜の製造効率に優れると共に酸素との反応性に優れ、酸化イリジウム薄膜の製造も可能なもの提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、有機イリジウム化合物を主成分とするCVD用原料化合物であって、有機イリジウム化合物がトリス(5-メチル-2,4-ヘキサンジオナト)イリジウムからなるCVD用原料化合物である。この原料化合物を用いた化学気相蒸着方法によれば、優れたモホロジーの純イリジウム薄膜及び酸化イリジウム薄膜を効率よく製造することができる。

Claim (excerpt)：

有機イリジウム化合物を主成分とするCVD用原料化合物であって、前記有機イリジウム化合物は、次式で示されるトリス(5-メチル-2,4-ヘキサンジオナト)イリジウムからなるCVD用原料化合物。【化1】

IPC (4)：

C07C 49/92 , C07F 15/00 , C23C 16/18 , H01L 27/105

FI (4)：

C07C 49/92 , C07F 15/00 E , C23C 16/18 , H01L 27/10 444 C

F-Term (19)：

4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB78 , 4H006AB91 , 4H050AA01 , 4H050AA03 , 4H050AB78 , 4H050AB91 , 4H050WB13 , 4H050WB21 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA42 , 4K030FA10 , 5F083FR01 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-263702 Applicant：株式会社日立製作所
薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-059497 Applicant：富士通株式会社
第8族元素類の成膜法およびこれに使用する原料化合物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-224536 Applicant：同和鉱業株式会社

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