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J-GLOBAL ID：200903003858216472

単結晶形成用基板、III族窒化物単結晶の作製方法、およびIII族窒化物単結晶

Inventor：
柴田 智彦

About 柴田 智彦

, 
田中 光浩

About 田中 光浩


Applicant, Patent owner：
日本碍子株式会社

About 日本碍子株式会社


Agent (3)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004029136
Publication number (International publication number)：2005223126
Application date： Feb. 05, 2004
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：
【課題】結晶品質の良いIII族窒化物の単結晶を得ることができる基板、およびこれを用いた単結晶形成を実現する。【解決手段】6H-SiC基材1aの上に、含有する全てのIII族元素に対するAl元素のモル分率が50%以上であるIII族窒化物からなる成長下地層1bを例えばMOCVD法によって形成して基板1を得る。成長下地層は、(002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が200秒以下となるように、かつ、その表面を原子レベルで平坦に形成する。これにより、例えばHVPE法により単結晶層2を形成する際に、反応管内に存在する雰囲気によって基板1の表面がエッチングされて、表面の結晶品質が劣化することを抑止できるので、結晶品質の良い単結晶層2を形成することができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
単結晶形成用の基板であって、 所定の基材と、 前記基材上に形成され、含有する全てのIII族元素に対するAl元素のモル分率が50%以上であるIII族窒化物からなる表面層と、 を備え、 前記表面層の(002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が200秒以下であり、 前記表面層の表面が、前記基板を用いて単結晶成長を行う際の雰囲気に対する劣化耐性を有してなることを特徴とする単結晶形成用基板。
IPC (3)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20
FI (3)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 C ,  H01L21/20
F-Term (42)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077AB08 ,  4G077AB10 ,  4G077BE13 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077DB21 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EC03 ,  4G077EC09 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077FK03 ,  4G077GA03 ,  4G077GA10 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TE03 ,  4G077TG03 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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