III族窒化物系化合物半導体素子

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小西富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999315193
Publication number (International publication number)：2001135854
Application date： Nov. 05, 1999
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【目的】基板上に優れた結晶性を有するAlN単結晶層を形成する。【構成】基板と、該基板上に形成された膜厚が0.5〜3μmでその表面が実質的に平坦なAlN単結晶層とを備えてなり、該AlN単結晶層のX線ロッキングカーブの半値幅が50秒以下とする。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に形成された膜厚が0.5〜3μmでその表面が実質的に平坦なAlN単結晶層とを備えてなり、該AlN単結晶層のX線ロッキングカーブの半値幅が50秒以下である、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01S 5/323

FI (4)：

H01L 33/00 C , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01S 5/323

F-Term (46)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA54 , 5F045DA55 , 5F045DA61 , 5F045EE02 , 5F045EE11 , 5F052DA04 , 5F052DB06 , 5F052GC06 , 5F052JA08 , 5F052KA02 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217875 Applicant：株式会社東芝
窒化ガリウム系化合物半導体膜の結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-125029 Applicant：豊田合成株式会社
III-V族化合物半導体の気相エピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-091484 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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