高温で水素を検出可能な半導体ダイオード

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：三枝英二 , 舘泰光 , 眞下晋一 , 松本公雄 , 立花顕治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003405965
Publication number (International publication number)：2004205501
Application date： Dec. 04, 2003
Publication date： Jul. 22, 2004
Summary：

【課題】先行技術に比べて応答時間を犠牲にせずにかつ/または感度をあまり低減させずに、作動温度の範囲を広げる。【解決手段】水素を検出可能な半導体ダイオードが、半導体基板と、この半導体基板上に形成された、式:XYZ(式中、XはIII族の元素、YはX以外のIII族の元素、ZはV族の元素である)を有する化合物からなるドープト半導体活性層と、活性層上に形成されたオーミックコンタクト層と、ショットキーバリアを提供するように活性層上に形成されたショットキーバリアコンタクト層と、を含む。ショットキーバリアコンタクト層は、水素分子を水素原子へ解離させることができる金属からなる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記基板上に形成された、式:XYZ(式中、XはIII族の元素、YはX以外のIII族の元素、ZはV族の元素である)を有する化合物からなるドープト半導体活性層と、前記活性層上に形成されたオーミックコンタクト層と、ショットキーバリアを提供するように前記活性層上に形成されたショットキーバリアコンタクト層と、を備え、前記ショットキーバリアコンタクト層は、水素分子を水素原子へ解離させ得る金属からなる、水素を検出可能な半導体ダイオード。

IPC (2)：

G01N27/12 , G01N27/00

FI (3)：

G01N27/12 B , G01N27/12 C , G01N27/00 J

F-Term (26)：

2G046AA05 , 2G046BA01 , 2G046BA04 , 2G046BA06 , 2G046BA09 , 2G046BB04 , 2G046BC05 , 2G046EA02 , 2G046EA04 , 2G046EA09 , 2G046FB00 , 2G046FE03 , 2G046FE13 , 2G046FE15 , 2G046FE16 , 2G046FE25 , 2G046FE27 , 2G046FE29 , 2G046FE31 , 2G046FE34 , 2G046FE35 , 2G060AA01 , 2G060AB03 , 2G060AE19 , 2G060BA07 , 2G060DA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

特開昭60-005570
特開昭60-005570
半導体三端子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-095895 Applicant：富士通株式会社

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