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J-GLOBAL ID:200903004164228860

有機EL素子用透明電極板および有機EL素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 猿渡 章雄 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000063009
Publication number (International publication number):2001250678
Application date: Mar. 08, 2000
Publication date: Sep. 14, 2001
Summary:
【要約】【課題】 ダークスポットの発生など有機EL素子固有の欠陥の発生を防止して、耐久性且つ信頼性の良好な有機EL素子を得る。【解決手段】 熱可塑性樹脂基板上に、金属酸化物透明電極層を有してなり、該熱可塑性樹脂基板が以下の(イ)〜(ハ)の要件を満たすことを特徴とする透明電極板を用いる。(イ)JIS B0601による十点平均粗さRzが4nm以下、且つ最大高低差Ryが20nm以下、である表面平坦性、(ロ)カールフィッシャー法(JIS K0068)による飽和吸水率(JIS K7209)が0.02重量%以下、である低吸水性、および(ハ)基板を構成する熱可塑性樹脂のJIS K7121による中間点ガラス転移温度Tmgと吸水遊離に伴う吸熱ピーク温度Twpとの差ΔT(=Tmg-Twp)が20°C<ΔT<100°C。
Claim (excerpt):
熱可塑性樹脂基板上に、金属酸化物透明電極層を有してなり、該熱可塑性樹脂基板は、以下の(イ)〜(ハ)の要件を満たすことを特徴とする有機EL素子用透明電極板:(イ)JIS B0601による十点平均粗さRzが4nm以下、且つ最大高低差Ryが20nm以下、である表面平坦性、(ロ)カールフィッシャー法(JIS K0068)による飽和吸水率(JIS K7209)が0.02重量%以下、である低吸水性、および(ハ)基板を構成する熱可塑性樹脂のJIS K7121による中間点ガラス転移温度Tmgと吸水遊離に伴う吸熱ピーク温度Twpとの差ΔT(=Tmg-Twp)が20°C<ΔT<100°C。
IPC (6):
H05B 33/02 ,  C08F 32/00 ,  C08J 7/04 CES ,  H05B 33/14 ,  H01B 5/14 ,  C08L101:00
FI (6):
H05B 33/02 ,  C08F 32/00 ,  C08J 7/04 CES D ,  H05B 33/14 A ,  H01B 5/14 A ,  C08L101:00
F-Term (32):
3K007AB11 ,  3K007AB13 ,  3K007AB14 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB01 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA01 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  4F006AA12 ,  4F006AA35 ,  4F006AA36 ,  4F006AB74 ,  4F006BA07 ,  4F006CA05 ,  4F006DA01 ,  4J100AA00Q ,  4J100AA01Q ,  4J100AA02Q ,  4J100AR02Q ,  4J100AR11P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100JA32 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC07
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (13)
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