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J-GLOBAL ID：200903004414638504

SOIウエーハの結晶欠陥評価方法およびエッチング液

Inventor：
佐藤 英樹

About 佐藤 英樹

, 
竹中 卓夫

About 竹中 卓夫

, 
篠宮 勝

About 篠宮 勝


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003020934
Publication number (International publication number)：2004235350
Application date： Jan. 29, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：
【課題】有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて、優れた欠陥検出能力でSOIウエーハの結晶欠陥を評価することのできる結晶欠陥評価方法、及びその結晶欠陥評価方法に用いられるエッチング液を提供する。【解決手段】SOIウエーハをエッチング液中に浸漬してSOI層のエッチングを行ない、該SOI層に形成されたエッチピットを観察することによりSOIウエーハの結晶欠陥を評価する方法であって、前記エッチング液として、フッ酸、硝酸、酢酸及び水の混合液中にヨウ素又はヨウ化物を含有し、前記硝酸のエッチング液中の容量比が最大のものであり、かつ前記SOI層のエッチレートが100nm/min以下となるように調整したものを用いることを特徴とするSOIウエーハの結晶欠陥評価方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
SOIウエーハをエッチング液中に浸漬してSOI層のエッチングを行ない、該SOI層に形成されたエッチピットを観察することによりSOIウエーハの結晶欠陥を評価する方法であって、前記エッチング液として、フッ酸、硝酸、酢酸及び水の混合液中にヨウ素又はヨウ化物を含有し、前記硝酸のエッチング液中の容量比が最大のものであり、かつ前記SOI層のエッチレートが100nm/min以下となるように調整したものを用いることを特徴とするSOIウエーハの結晶欠陥評価方法。
IPC (3)：
H01L21/306 ,  H01L21/66 ,  H01L27/12
FI (3)：
H01L21/306 B ,  H01L21/66 N ,  H01L27/12 T
F-Term (8)：
4M106AA01 ,  4M106BA10 ,  4M106CB19 ,  4M106CB20 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD27 ,  5F043GG10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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