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J-GLOBAL ID：200903004460723230

窒化ガリウム単結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード

Inventor：
宇田川 隆

About 宇田川 隆


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 柿沼 伸司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002280102
Publication number (International publication number)：2004115305
Application date： Sep. 26, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：
【課題】転位密度が低く結晶品質に優れ、且つ大口径の珪素(Si)単結晶を基板として利用し、その表面上に積層した窒化ガリウム単結晶層から結晶欠陥密度の小さい大面積の窒化ガリウム単結晶基板を製造する方法とその方法により製造された窒化ガリウム単結晶基板を提供する。【解決手段】珪素単結晶基板の表面に、硼素とリンとを含む非晶質層を形成し、次に、非晶質層上にリン化硼素単結晶層を形成し、次に、リン化硼素単結晶層上に、第1の窒化ガリウム(GaN)単結晶層を成長させ、その後、上記の珪素単結晶基板、非晶質層およびリン化硼素単結晶層を除去して、第1の窒化ガリウム単結晶層を分離し、その後、第1の窒化ガリウム単結晶層の表面上に、第2の窒化ガリウム単結晶層を積層させて窒化ガリウム単結晶基板を製造する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
珪素(Si)単結晶基板の表面に、250°C以上1200°C以下の基板温度で硼素(B)とリン(P)とを含む非晶質層を形成し、次に、非晶質層上に750°C以上1200°C以下の基板温度でリン化硼素(BP)単結晶層を形成し、次に、リン化硼素単結晶層上に、第1の窒化ガリウム(GaN)単結晶層を成長させ、その後、上記の珪素単結晶基板、非晶質層およびリン化硼素単結晶層を除去して、第1の窒化ガリウム単結晶層を分離し、その後、第1の窒化ガリウム単結晶層の表面上に、第2の窒化ガリウム単結晶層を積層させることを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板の製造方法。
IPC (4)：
C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00
FI (4)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 C
F-Term (34)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC14 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052DB10 ,  5F052EA11 ,  5F052GC03 ,  5F052HA01 ,  5F052JA07 ,  5F052JA10 ,  5F052KA01 ,  5F052KA06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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