Pat
J-GLOBAL ID：200903090046029490

GaN単結晶基板及びその製造方法

Inventor：
鈴木 貴征

About 鈴木 貴征

, 
柴田 真佐知

About 柴田 真佐知


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 川澄 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001035449
Publication number (International publication number)：2002241198
Application date： Feb. 13, 2001
Publication date： Aug. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】ヒ素を含まない大型の自立したGaN単結晶基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】(111)面を表面とするSi、Ge又はGaPの基板1上に、ストライプ状、点状等の窓3を有するマスク2を形成し、その上にバッファ層4として一般式AlxGa1-xN(0≦x≦1)で記述される窒化ガリウム系化合物半導体を成長し、その上にGaN層5をエピタキシャル成長させ、基板1とマスク2を除去することにより、ヒ素を含まない自立した直径50mm以上の大きさのGaN単結晶基板を得る。
Claim (excerpt)：
直径50mm以上の大きさを有し、ヒ素を含まないことを特徴とする自立したGaN単結晶基板。
IPC (3)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (29)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB09 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045GH09 ,  5F045HA14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM