配線の形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：國分孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999341076
Publication number (International publication number)：2001160590
Application date： Nov. 30, 1999
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】ダマシン法にメッキ法を適用して短時間の製造プロセスで低抵抗の多層配線を形成するに際して、形成過程における歩留まり及び実使用中での信頼性を大幅に改善する。【解決手段】配線溝19にメッキCu膜22を充填してなる配線23上に、ビア孔30を介して当該ビア孔30及び配線溝33にメッキCu膜35を充填してなる配線36を形成するに際して、配線23,36の材料膜となるメッキCu膜22,35を形成した直後に低温アニール処理を施すとともに、CMPにより配線23,36を形成した後のH2 プラズマ処理及びそれに引き続く層間絶縁膜25,38を含む諸工程の処理温度を所定の低温度以下に制御する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上層に形成された第1の絶縁膜に所定の配線溝を形成する工程と、前記配線溝を埋め込むように金属膜をメッキ形成する工程と、前記金属膜を研磨し、前記配線溝内のみを充填するように前記金属膜を残して配線を形成する工程と、少なくとも前記配線上に第2の絶縁膜を形成する工程とを含み、前記金属膜の形成直後に当該金属膜に所定温度の熱処理を施すとともに、前記第2の絶縁膜の形成温度を含む前記配線形成後の諸工程の処理温度を所定の低温度以下に制御することを特徴とする配線の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 P , H01L 21/88 K

F-Term (32)：

5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK32 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ92 , 5F033QQ98 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033TT02 , 5F033VV16 , 5F033WW03 , 5F033XX02 , 5F033XX06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-350393 Applicant：富士通株式会社
チップ及びパッケージの相互接続用銅合金ならびにその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-164895 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-105361 Applicant：株式会社東芝

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