半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：後藤洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997327608
Publication number (International publication number)：1999162973
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】 MOS型半導体集積回路装置の駆動速度を遅くすることなく、信頼性を確保し、同一基板上に複数の膜厚のゲート酸化膜を形成する方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板10上にホトレジスト12でパターンを形成し、熱酸化速度を速くするためのイオンを選択的に注入する。ホトレジスト12を除去した後、熱酸化を行う。次に、SiO2 膜16上に多結晶シリコン膜18を成長し、パターンを形成することによって異なるSiO2 膜厚のMOSFETのゲート酸化膜を同時に形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に選択的に、熱酸化速度を速くするためのイオン注入を行い同一基板上に複数の膜厚の酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 21/265

FI (3)：

H01L 21/316 S , H01L 21/265 J , H01L 21/265 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体基板上への厚さの異なるゲート酸化物の形成プロセス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-311474 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
シリコン基板の酸化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-238029 Applicant：住友金属工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-145258 Applicant：株式会社東芝

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