成膜装置および成膜方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人エクシオ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004370496
Publication number (International publication number)：2006176822
Application date： Dec. 22, 2004
Publication date： Jul. 06, 2006
Summary：

【課題】同一の成膜装置で化学的成膜法とスパッタリング法とを行なう場合に、反応ガスによるターゲットの汚染を防止または抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供することを課題とする。【解決手段】上記薄膜の構成元素を主成分とするターゲットが配置され、このターゲットをスパッタリングするためにスパッタリングガスを導入するスパッタリングガス導入系と、上記構成元素を含む原料ガスを導入する原料ガス導入系と、この原料ガスと反応して基板上に上記薄膜を析出させる反応ガスを導入する反応ガス導入系とを備え、上記ターゲットが配置されている第1空間と、上記基板ホルダーが配置されている第2空間とを仕切る仕切手段を設けた薄膜装置およびこの薄膜装置を使用した成膜方法により、反応ガスによるターゲットの汚染を防止または抑制することができるようになった。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

真空チャンバ内の基板ホルダーに載置された基板上に薄膜を形成させる成膜装置であって、上記薄膜の構成元素を主成分とするターゲットが配置され、このターゲットをスパッタリングするためにスパッタリングガスを導入するスパッタリングガス導入系と、上記構成元素を含む原料ガスを導入する原料ガス導入系と、この原料ガスと反応して基板上に上記薄膜を析出させる反応ガスを導入する反応ガス導入系とを備え、上記ターゲットが配置されている第1空間と、上記基板ホルダーが配置されている第2空間とを仕切る仕切手段を設けたことを特徴とする成膜装置。

IPC (4)：

C23C 14/34 , H01L 21/285 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (4)：

C23C14/34 M , H01L21/285 C , H01L21/285 S , H01L21/88 R

F-Term (28)：

4K029BD02 , 4K029CA04 , 4K029CA05 , 4K029DA04 , 4K029DA10 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104DD39 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104HH08 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP22 , 5F033WW01 , 5F033XX13 , 5F033XX34

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

成膜方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-177848 Applicant：株式会社日立製作所
特開平2-110919
特公昭61-027462

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Cited by examiner (5)

特開平2-110919
特公昭61-027462
イオンビームスパツタ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-101782 Applicant：株式会社ニコン

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