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J-GLOBAL ID:200903004771750096

原子ビーム制御装置および制御方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 福井 國敞 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000398289
Publication number (International publication number):2002196100
Application date: Dec. 27, 2000
Publication date: Jul. 10, 2002
Summary:
【要約】【課題】多重極磁場を通過する原子ビームに光ビームを照射し,原子ビームの位置を制御する原子ビーム制御装置および制御方法に関する。原子ビーム位置を自動制御し,描画位置を二次元的に移動するようにすることを目的とする。【解決手段】 多重極磁場を通過する原子ビームに光ビームを照射して,原子ビームの位置を制御する原子ビーム制御装置において,原子ビームの位置を検出するためのプローブ光を発生するプローブ光発生器と,プローブ光を受光する光検出器と,該光検出器の出力値に基づいて原子ビームの位置を制御する多重極磁場生成電極に流れる電流を制御する電流制御部とを備える。
Claim (excerpt):
多重極磁場を通過する原子ビームに光ビームを照射して,原子ビームの位置を制御する原子ビーム制御装置において,原子ビームの位置を検出するためのプロープ光を発生するプローブ光発生部と,プローブ光を受光する光検出器と,該光検出器の出力値に基づいて原子ビームの位置を制御する多重極磁場生成電極に流れる電流を制御する電流制御部とを備えることを特徴とする原子ビーム制御装置。
IPC (6):
G21K 1/00 ,  B01D 59/34 ,  G21K 1/093 ,  G21K 5/04 ,  H01L 21/30 ,  H01L 21/027
FI (6):
G21K 1/00 A ,  B01D 59/34 E ,  G21K 1/093 S ,  G21K 5/04 C ,  H01L 21/30 ,  H01L 21/30 502 D
F-Term (3):
5F046BA10 ,  5F046DA30 ,  5F046DB04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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