半導体レーザ素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995163817
Publication number (International publication number)：1997018082
Application date： Jun. 29, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】 CODを防ぎ、高出力で高信頼性の半導体レーザ素子を提供する。【構成】化合物半導体基板1上に設けられた、活性層5をクラッド層3、7で挟んでなるダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部の共振器長方向のへき開された出射端面近傍かつ前記活性層5上に設けられた電流非注入領域8aと、前記出射端面上に積層された、活性層5よりもバンドギャップが大きい半導体層11とを備える。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に設けられた、活性層をクラッド層で挟んでなるダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部の共振器長方向のへき開された出射端面近傍かつ前記活性層上に設けられた電流非注入領域と、前記出射端面上に積層された、活性層よりもバンドギャップが大きい半導体層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-046976 Applicant：シャープ株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-031398 Applicant：日本電気株式会社
特開平3-153090

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