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J-GLOBAL ID:200903004811931544

封止用エポキシ樹脂成形材料の使用

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003108943
Publication number (International publication number):2003289123
Application date: Sep. 25, 2001
Publication date: Oct. 10, 2003
Summary:
【要約】【課題】 流動性に優れしかも薄型、多ピン又は実装基板上に半導体チップが配置された半導体装置の製造に最適な封止用エポキシ樹脂成形材の使用を提供する。【解決手段】 以下のa〜fの構成を以下の1又は2の組み合わせで備える半導体装置の封止材としての、(A)エポキシ樹脂及び(B)硬化剤を含有し、さらに(C)2級アミノ基を有するシランカップリング剤又は(D)リン酸エステルを含有する封止用エポキシ樹脂成形材料の使用。a:半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材の厚さの少なくともいずれかが0.7mm以下、b:リードピン数80ピン以上、c:ワイヤー長2mm以上、d:半導体チップ上のパッドピッチ90μm以下、e:実装基板上に半導体チップが配置されパッケージ厚2mm以下、f:半導体チップの面積25mm2以上、1:構成a又はe、2:構成aとその他の構成b〜fから選ばれる1以上
Claim (excerpt):
以下の(a)〜(f)の構成を、以下の(1)又は(2)の組み合わせで備える半導体装置の封止材としての、(A)エポキシ樹脂及び(B)硬化剤を含有し、さらに(C)2級アミノ基を有するシランカップリング剤又は(D)リン酸エステルを含有する封止用エポキシ樹脂成形材料の使用。(a) 半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材の厚さの少なくともいずれかが0.7mm以下である(b) リードピンの数が80ピン以上である(c) ワイヤー長が2mm以上である(d) 半導体チップ上のパッドピッチが90μm以下である(e) 実装基板上に半導体チップが配置され、パッケージ厚が2mm以下である(f) 半導体チップの面積が25mm2以上である(1)構成(a)又は(e)(2)構成(a)とその他の構成(b)〜(f)から選ばれる1以上
IPC (3):
H01L 23/29 ,  C08L 63/00 ,  H01L 23/31
FI (2):
C08L 63/00 C ,  H01L 23/30 R
F-Term (18):
4J002CC032 ,  4J002CD041 ,  4J002CD051 ,  4J002CD081 ,  4J002CE002 ,  4J002EW047 ,  4J002EX076 ,  4J002FD010 ,  4J002FD037 ,  4J002FD142 ,  4J002FD147 ,  4J002FD206 ,  4J002GJ02 ,  4J002GQ05 ,  4M109AA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EB06 ,  4M109EB18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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