半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西藤征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999203116
Publication number (International publication number)：2000091476
Application date： Jul. 16, 1999
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】熱サイクルテスト特性および耐クラック性に優れ、かつ反りの発生が抑制され、しかも環境汚染問題に対して問題のない優れた難燃性が付与された信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】下記の(X)成分を含有する封止用樹脂組成物からなる樹脂硬化体で半導体素子が封止された半導体装置であって、上記樹脂硬化体が、熱機械分析測定による線膨張曲線の二次微分ピークを2つ以上有し、これらの二次微分ピークのうち、両端に位置する2つのピーク間隔が20°C以上である。(X)下記の一般式(1)で表される多面体形状の複合化金属水酸化物。【化1】 m(Ma Ob )・n(Qd Oe )・cH2 O ・・・(1)〔上記式(1)において、MとQは互いに異なる金属元素であり、Qは、周期律表のIVa,Va,VIa, VIIa,VIII,Ib,IIbから選ばれた族に属する金属元素である。また、m,n,a,b,c,d,eは正数であって、互いに同一の値であってもよいし、異なる値であってもよい。〕

Claim (excerpt)：

下記の(X)成分を含有する封止用樹脂組成物からなる樹脂硬化体で半導体素子が封止された半導体装置であって、上記樹脂硬化体が、熱機械分析測定による線膨張曲線の二次微分ピークを2つ以上有し、これらの二次微分ピークのうち、両端に位置する2つのピーク間隔が20°C以上であることを特徴とする半導体装置。(X)下記の一般式(1)で表される多面体形状の複合化金属水酸化物。【化1】 m(Ma Ob )・n(Qd Oe )・cH2 O ・・・(1)〔上記式(1)において、MとQは互いに異なる金属元素であり、Qは、周期律表のIVa,Va,VIa, VIIa,VIII,Ib,IIbから選ばれた族に属する金属元素である。また、m,n,a,b,c,d,eは正数であって、互いに同一の値であってもよいし、異なる値であってもよい。〕

IPC (4)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , C08K 3/22 , C08L101/16

FI (3)：

H01L 23/30 R , C08K 3/22 , C08L101/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

樹脂封止型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-108470 Applicant：日東電工株式会社
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-257755 Applicant：日東電工株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-288849 Applicant：日東電工株式会社

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Cited by examiner (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-288849 Applicant：日東電工株式会社
エポキシ樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-230096 Applicant：住友ベークライト株式会社
樹脂封止型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-108470 Applicant：日東電工株式会社

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