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J-GLOBAL ID：200903004891630825

研磨液及び研磨方法

Inventor：
上村 哲也

About 上村 哲也


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008139395
Publication number (International publication number)：2009289885
Application date： May. 28, 2008
Publication date： Dec. 10, 2009
Summary：
【課題】半導体集積回路の作製において、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層を有する被研磨体に対する化学的機械的研磨に用いることができ、ポリシリコン又は変性ポリシリコン以外のケイ素系材料を含む層の研磨速度が迅速であり、且つ、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液、及びそれを用いた研磨方法を提供する。【解決手段】ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第1層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素から選択された1種を含む第2層と、を有した被研磨体の化学的機械的研磨に用いられ、(1)表面の珪素原子の一部または全部をアルミニウム原子に置き換えたコロイダルシリカ粒子、および(2)有機酸の各成分を含有し、pHが1.5〜7.0であり、且つ、前記第1層に対して前記第2層を選択的に研磨しうる研磨液。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
半導体集積回路を作製する際の平坦化工程において、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第1層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素からなる群より選択される少なくとも1種を含む第2層と、を少なくとも有して構成される被研磨体の化学的機械的研磨に用いられ、下記(1)および(2)で示される各成分を含有し、pHが1.5〜7.0であり、且つ、前記第1層に対して前記第2層を選択的に研磨しうる研磨液。 (1)表面の一部がアルミニウムで修飾されているコロイダルシリカ (2)有機酸
IPC (3)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (4)：
H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z
F-Term (6)：
3C058AA07 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (5)
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