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J-GLOBAL ID：200903004902267922

GaN結晶の成長方法およびGaN結晶基板

Inventor：
西岡 志行

About 西岡 志行

, 
上松 康二

About 上松 康二


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007156717
Publication number (International publication number)：2008308356
Application date： Jun. 13, 2007
Publication date： Dec. 25, 2008
Summary：
【課題】HVPE法による結晶成長面が{1-100}面であるGaN結晶の結晶成長において、結晶成長速度が高く厚い結晶を効率良く成長させる方法を提供する。【解決手段】本GaN結晶の成長方法は、主面が{1-100}面である1つ以上のGaN結晶下地基板を準備する工程と、GaN結晶下地基板の主面上にGaN結晶をその結晶成長面が{1-100}面となるように成長させる工程とを含み、GaN結晶を成長させる工程において、結晶成長温度x°Cが1080°C以上1160°C以下であり、結晶成長速度yμm/hrと結晶成長温度x°Cとの関係が以下の式(1)および(2) y≧0.0352x2-75.659x+40737 (1) y≦0.0782x2-165.95x+88121 (2)を満たす。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
主面が{1-100}面である1つ以上のGaN結晶下地基板を準備する工程と、前記GaN結晶下地基板の前記主面上にハイドライド気相成長法によりGaN結晶をその結晶成長面が{1-100}面となるように成長させる工程とを含み、 前記GaN結晶を成長させる工程において、結晶成長温度x°Cが1080°C以上1160°C以下であり、結晶成長速度yμm/hrと前記結晶成長温度x°Cとの関係が以下の式(1)および(2) y≧0.0352x2-75.659x+40737 (1) y≦0.0782x2-165.95x+88121 (2) を満たすGaN結晶の成長方法。
IPC (4)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/16 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205
FI (4)：
C30B29/38 D ,  C30B25/16 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205
F-Term (29)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EH06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TA08 ,  4G077TB04 ,  4G077TC06 ,  4G077TC10 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045GB19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
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