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J-GLOBAL ID:200903005210800708
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
小林 茂
, 和泉 良彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005221172
Publication number (International publication number):2007036135
Application date: Jul. 29, 2005
Publication date: Feb. 08, 2007
Summary:
【課題】高温下で使用しても、特性劣化が生じない炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体基体500と、この炭化珪素半導体基体500にヘテロ接合し、炭化珪素とはバンドギャップの異なるヘテロ半導体材料からなるソース領域11と、炭化珪素半導体基体500とソース領域11との接合部に隣接してゲート絶縁膜7を介して配設されたゲート電極8と、ソース領域11に接するように形成されたソース電極9と、炭化珪素半導体基体500と接触するように形成されたカーボンナノチューブ層12と、このカーボンナノチューブ層12を介して炭化珪素半導体基体500と隣接するように形成されたドレイン電極10とを有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
炭化珪素半導体基体と、
前記炭化珪素半導体基体と接触するように形成されたカーボンナノチューブ層と
を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (5):
H01L 21/28
, H01L 29/06
, H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
FI (7):
H01L21/28 301Z
, H01L29/06 601N
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 654C
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 652L
, H01L21/28 301B
F-Term (12):
4M104AA02
, 4M104AA03
, 4M104AA07
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104DD79
, 4M104FF02
, 4M104GG02
, 4M104GG03
, 4M104GG09
, 4M104GG18
, 4M104HH20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-259076
Applicant:株式会社デンソー
Cited by examiner (6)
-
電子装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-295115
Applicant:株式会社東芝
-
高耐圧炭化珪素ダイオードおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-297032
Applicant:日産自動車株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-132695
Applicant:日産自動車株式会社
-
炭化珪素半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-125412
Applicant:日産自動車株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-340404
Applicant:富士通株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-062623
Applicant:富士電機ホールディングス株式会社
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