電子装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001295115
Publication number (International publication number)：2003100658
Application date： Sep. 26, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】SiC半導体と電極との間の接触抵抗が低減された電子装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の電子装置は、p型或いはn型のSiC半導体部と、前記SiC半導体部上に設けられ且つ前記SiC半導体部の表面から延在したカーボンナノチューブを含む炭素電極とを具備したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

p型或いはn型のSiC半導体部と、前記SiC半導体部上に設けられ且つ前記SiC半導体部の表面から延在したカーボンナノチューブを含む炭素電極とを具備したことを特徴とする電子装置。

IPC (7)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/205 , H01L 29/06 601 , H01L 29/80 , H01L 29/861 , H01L 29/872

FI (9)：

H01L 21/28 301 F , H01L 21/28 301 Z , H01L 21/205 , H01L 29/06 601 N , H01L 29/48 Z , H01L 29/91 F , H01L 29/80 V , H01L 29/48 M , H01L 29/48 D

F-Term (41)：

4M104AA03 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD26 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104DD71 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104DD83 , 4M104FF13 , 4M104FF22 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG11 , 4M104GG12 , 4M104HH08 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F045AA03 , 5F045AB07 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AE17 , 5F045AF02 , 5F045BB16 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GV00 , 5F102HC00 , 5F102HC07 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブ膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-087518 Applicant：財団法人ファインセラミックスセンター
ナノスケール導電性コネクタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-215599 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
カーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜体及びカーボンナノチューブ膜付き基板並びにそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-260036 Applicant：財団法人ファインセラミックスセンター

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