半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003340404
Publication number (International publication number)：2005109133
Application date： Sep. 30, 2003
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】素子で発生する熱を効果的に放熱することができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 SiC基板1と、SiC基板1中の孔1d内に形成され、炭素元素の線状構造体により構成される熱伝導体4とを有することを特徴とする半導体装置による。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

SiC基板と、前記SiC基板中の孔内に形成され、炭素元素の線状構造体により構成される熱伝導体とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L23/34 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (2)：

H01L23/34 A , H01L29/80 H

F-Term (25)：

5F036AA01 , 5F036BA23 , 5F036BB18 , 5F036BD11 , 5F102FA00 , 5F102GB02 , 5F102GC02 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GJ05 , 5F102GJ10 , 5F102GK01 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GQ01 , 5F102GR06 , 5F102HC00 , 5F102HC01 , 5F102HC02 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC16 , 5F102HC19 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブ膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-087518 Applicant：財団法人ファインセラミックスセンター
ナノ構造体とその製造方法、電子放出素子及びカ-ボンナノチュ-ブデバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-047540 Applicant：キヤノン株式会社

Cited by examiner (10)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-128093 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-207425 Applicant：三菱電機株式会社
集積回路装置及び集積回路装置製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-135322 Applicant：富士通株式会社

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