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J-GLOBAL ID：200903005421241322
多相鉛ゲルマネート膜および堆積方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000131696
Publication number (International publication number)：2000357691
Application date： Apr. 28, 2000
Publication date： Dec. 26, 2000
Summary：
【要約】【課題】 1T型FeRAMのメモリセルに有用なPGO膜を2層構造にすることにより1層目の粒径を制御し、成膜後の膜質の最適化を図ること。【解決手段】 鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜を、集積回路(IC)膜上に形成する工程であって、[Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]を混合し、第1の所定モル比を有するPGO混合物を形成する工程102と、工程102の混合物を、テトラヒドロフラン、イソプロパノール、およびテトラグリムの溶媒で溶解し、前駆体溶液を形成する工程104と、工程104において形成された溶液を加熱し、前駆体ガスを生成する工程106と、前駆体ガスを、IC膜に導入する工程108と、工程106において生成された前駆体ガスを、IC膜上で分解し、強弾性特質を有し、Pb5Ge3O11である第1の相およびPb3GeO5である第2の相を含むPGO膜を形成し、それによりPGO膜の強誘電特性がPGOの第2の相を加えて改良される工程112を含む、方法。
Claim (excerpt)：
鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜を、集積回路(IC)膜上に形成する工程であって、該方法は、a) [Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]を混合し、第1の所定モル比を有するPGO混合物を形成する工程と、b) 該工程a)の該混合物を、テトラヒドロフラン、イソプロパノール、およびテトラグリムの溶媒で溶解し、前駆体溶液を形成する工程と、c) 該工程b)において形成された該溶液を加熱し、前駆体ガスを生成する工程と、d) 該前駆体ガスを、該IC膜に導入する工程と、e) 該工程c)において生成された該前駆体ガスを、該IC膜上で分解し、強誘電特性を有し、Pb5Ge3O11である第1の相およびPb3GeO5である第2の相を含むPGO膜を形成し、それにより該PGO膜の強誘電特性がPGOの該第2の相を加えて改良される工程を含む、方法。
IPC (5)：
H01L 21/316
, C30B 29/22
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/316 X
, C30B 29/22 Z
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
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