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J-GLOBAL ID：200903024487894445
強弾性鉛ゲルマネート薄膜およびその堆積方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000131694
Publication number (International publication number)：2000315770
Application date： Apr. 28, 2000
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 強弾性PGO薄膜の堆積用のCVDプロセスを提供すること。【解決手段】 強弾性鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜を集積回路(IC)ウェハ上に生成する方法であって、[Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]とを混合して、約2:1〜4:1の範囲のモル比を有するPGO混合物を生成する工程102と、工程102の混合物を、テトラヒドロフラン、イソプロパノール、およびテトラグリムの溶媒に溶解させ、前駆体溶液を生成する工程104と、工程104で生成された溶液を加熱し、前駆体ガスを生成する工程106と、工程106で生成された前駆体ガスをICウェハ上で分解し、Pb3GeO5である第1の相を含むPGO薄膜を生成し、これにより強弾性特性を有するPGO膜を生成する工程108と、を包含する、方法。
Claim (excerpt)：
強弾性鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜を集積回路(IC)ウェハ上に生成する方法であって、a)[Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]とを混合して、約2:1〜4:1の範囲のモル比を有するPGO混合物を生成する工程と、b)工程a)の該混合物を、テトラヒドロフラン、イソプロパノール、およびテトラグリムの溶媒に溶解させ、前駆体溶液を生成する工程と、c)工程b)で生成された該溶液を加熱し、前駆体ガスを生成する工程と、d)工程c)で生成された該前駆体ガスを該ICウェハ上で分解し、Pb3GeO5である第1の相を含むPGO薄膜を生成し、これにより強弾性特性を有する該PGO膜を生成する工程と、を包含する、方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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