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J-GLOBAL ID：200903032590287550
c軸配向鉛ゲルマネートの膜およびその堆積方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000131695
Publication number (International publication number)：2001007104
Application date： Apr. 28, 2000
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 1T型FeRAMのメモリセルに有用なPGO膜を、有機原料を用いたMOCVDで形成し、c軸配向の膜を得ること。【解決手段】 集積回路(IC)膜上にc軸配向を有する多結晶鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜を形成する方法であって、約4.5:3〜5.5:3の範囲のモル比を有するPGO混合物を形成するために、[Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]とを混合する工程102と、前駆体溶液を形成するために、工程102の混合物を、テトラヒドロフラン、イソプロパノールおよびテトラグリムの溶媒を用いて溶解する工程104と、工程104において形成された溶液を用いて前駆体ガスを生成する工程106と、工程106において形成された前駆体ガスをウエハ上で分解する工程108と、Pb5Ge3O11である第1の相を含むPGO膜を形成する工程110と、PGO膜のPb5Ge3O11相において主としてc軸に結晶配向を形成し、それによりPGO膜の強誘電特性が最適化される工程112aと、を含む方法。
Claim (excerpt)：
集積回路(IC)膜上にc軸配向を有する多結晶鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜を形成する方法であって、a)約4.5:3〜5.5:3の範囲のモル比を有するPGO混合物を形成するために、[Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]とを混合する工程と、b)前駆体溶液を形成するために、該工程a)の該混合物を、テトラヒドロフラン、イソプロパノールおよびテトラグリムの溶媒を用いて溶解する工程と、c)該工程b)において形成された該溶液を用いて前駆体ガスを生成する工程と、d)該工程c)において形成された該前駆体ガスをウエハ上で分解する工程と、e)Pb5Ge3O11である第1の相を含むPGO膜を形成する工程と、f)該PGO膜の該Pb5Ge3O11相において主としてc軸に結晶配向を形成し、それにより該PGO膜の強誘電特性が最適化される工程と、を含む方法。
IPC (10)：
H01L 21/316
, C23C 16/40
, C23C 16/46
, H01L 21/31
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 21/316 X
, C23C 16/40
, C23C 16/46
, H01L 21/31 B
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
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