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J-GLOBAL ID:200903005480875440

チップ型半導体発光装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997283316
Publication number (International publication number):1999121797
Application date: Oct. 16, 1997
Publication date: Apr. 30, 1999
Summary:
【要約】【課題】 発光素子自体の厚さを薄くしないでもワイヤーが占めていた分の厚さ方向の嵩を実質的に零としてリード側に導通接続した薄型のチップ型半導体発光装置を提供する。【解決手段】 結晶基板1aと対向する同一の面にn側電極2及びp側電極3を備えた発光素子1をリード基板6に搭載する半導体発光装置において、結晶基板1aを光透過性とし、n側及びp側電極2,3のそれぞれの上にはマイクロバンプ4,5を形成し、結晶基板1aをリード基板6に対して上下反転した姿勢としてマイクロバンプ4,5をチップ基板1aに形成したリード7a,7bに接続し、n側及びp側の電極2,3に対してワイヤーボンディングすることなく、結晶基板1aの上面を光取出し面とする。
Claim (excerpt):
結晶基板の上に少なくともn型層及びp型層を成長させた積層構造を持ち且つ結晶基板と対向する同一の面にn側電極及びp側電極を備えた発光素子をリード基板に搭載するチップ型の半導体発光装置であって、結晶基板を光透過性とするとともに、n側電極及びp側電極のそれぞれの上には導電性材料からなるマイクロバンプを形成し、結晶基板をリード基板に対して上下反転した姿勢としてマイクロバンプをリード基板に形成したリードに接続し、結晶基板の上面を光取出し面としてなるチップ型半導体発光装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
  • 光半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-256251   Applicant:株式会社東芝
  • 特表平5-500737
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-232147   Applicant:京セラ株式会社
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