半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007315909
Publication number (International publication number)：2008083731
Application date： Dec. 06, 2007
Publication date： Apr. 10, 2008
Summary：

【課題】良好な特性を有し信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート配線と同一面上に設けられた島状のソース配線と、島状のソース配線及び半導体層に電気的に接続された接続電極とを有し、島状のソース配線は画素毎に配置されており、1つの島状のソース配線と隣の画素の島状のソース配線とは、接続電極によって電気的に接続されている。接続電極は金属膜を用いて形成されており、容量配線は、ゲート配線と平行に配置された部分を有し、平行に配置された部分において、容量配線と画素電極とは部分的に重なっている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極を含むゲート配線と、前記ゲート電極に近接して設けられた半導体層と、前記ゲート配線と同一面上に設けられた島状のソース配線と、前記ゲート配線及び前記島状のソース配線を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上方に設けられ、前記島状のソース配線及び前記半導体層に電気的に接続された接続電極と、前記絶縁膜の上方に設けられ、前記半導体層に電気的に接続された画素電極と、容量配線と、を有し、前記接続電極は金属膜を用いて形成されており、前記容量配線は、前記ゲート配線と平行に配置された部分を有し、前記平行に配置された部分において、前記容量配線と前記画素電極とは部分的に重なっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

G09F 9/30 , G02F 1/136 , G02F 1/133

FI (3)：

G09F9/30 338 , G02F1/1368 , G02F1/1335 505

F-Term (55)：

2H091FA02Y , 2H091FA14Y , 2H091FA35Y , 2H091GA02 , 2H091GA07 , 2H091GA11 , 2H091GA13 , 2H091GA14 , 2H091LA12 , 2H091LA30 , 2H092GA32 , 2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092JB07 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA27 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA27 , 2H092PA08 , 2H092PA09 , 2H092PA12 , 2H092PA13 , 5C094AA10 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA10 , 5C094ED03 , 5C094ED11 , 5C094ED15 , 5C094FB12 , 5C094GB10 , 5C094HA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開平3-175430
特開昭63-253391
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-157223 Applicant：株式会社東芝

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