III族窒化物半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢口平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998193125
Publication number (International publication number)：2000031164
Application date： Jul. 08, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 FETなどのIII 族窒化物半導体素子の構築に適する絶縁性の立方晶単結晶基板材料を選択し、その単結晶基板上に立方晶のIII 族窒化物半導体結晶層からなる積層構造体を構築するのに適した緩衝層の構成要件を提示する。【解決手段】フッ化カルシウム(CaF2 )からなる絶縁性の立方晶の単結晶基板上に、リン化硼素(BP)系材料から緩衝層を構成する。そして、上記単結晶基板上に上記緩衝層を介して、立方晶の窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム結晶層からなる活性層を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁性のフッ化カルシウム(化学式:CaF<SB>2</SB> )からなる単結晶基板と、該単結晶基板上に形成された少なくとも硼素(元素記号:B)とリン(元素記号:P)とを構成元素として含む緩衝(バッファ)層と、前記単結晶基板上に前記緩衝層を介して形成された、一般式AlαGaβIn<SB>1-</SB>α<SB>-</SB> βN<SB>1-</SB>γMγ(0≦α,β≦1、0≦α+β≦1、記号Mは窒素以外の第V族元素を表し、0≦γ<1)で表記される窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム結晶層からなる活性層とを具備するIII 族窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

F-Term (13)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-062812 Applicant：株式会社東芝
窒化物系半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-211793 Applicant：旭化成工業株式会社
窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-022196 Applicant：日亜化学工業株式会社

Show all

Cited by examiner (6)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-062812 Applicant：株式会社東芝
窒化物系半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-211793 Applicant：旭化成工業株式会社
窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-022196 Applicant：日亜化学工業株式会社

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

"The potensial of SiC and GaN for application in high speed devices"

Return to Previous Page