シリコン半導体基板およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000210597
Publication number (International publication number)：2001274167
Application date： Jul. 11, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】この発明は、デバイスプロセス中の熱処理で酸素析出が起こって重金属ゲッタリング能力があり、かつ表面の結晶欠陥がなくデバイス特性に優れたシリコン半導体基板、およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコン単結晶において基板窒素濃度が1×1013/cm3以上である単結晶から切り出したシリコン単結晶ウエハに、エピ層を堆積したときに、積層欠陥(リング状分布積層欠陥)が0.5個/cm2以下であること、あるいは転位(転位ピット欠陥)がウエハ全面に渡って0.5個/cm2以下であることを特徴とするシリコン単結晶基板およびその製造方法である。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により製造された窒素含有シリコン単結晶から切り出したシリコン単結晶ウエハの表面に、エピタキシャル法によりシリコン単結晶層(エピ層)を堆積してなるシリコン半導体基板であって、前記シリコン単結晶ウエハの窒素濃度が1×1013atoms/cm3以上1×1016atoms/cm3以下であり、前記シリコン半導体基板の全面に渡って、{111}面上の格子間原子型積層欠陥(リング状分布積層欠陥)が、エピ層中に0.5個/cm2以下であることを特徴とするシリコン半導体基板。

IPC (4)：

H01L 21/322 , C30B 29/06 502 , C30B 29/06 504 , H01L 21/208

FI (4)：

H01L 21/322 Y , C30B 29/06 502 Z , C30B 29/06 504 E , H01L 21/208 P

F-Term (17)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BB03 , 4G077CF10 , 4G077DB04 , 4G077EA10 , 4G077EB01 , 4G077EH10 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 5F053AA12 , 5F053DD01 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053KK03 , 5F053PP03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-146668 Applicant：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
シリコンウェーハとシリコンエピタキシャルウェーハ並びにその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-128343 Applicant：住友金属工業株式会社
高品質シリコンウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-349722 Applicant：住友シチックス株式会社

Show all

Return to Previous Page