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J-GLOBAL ID：200903005734165660

窒化物半導体結晶層の作製方法、窒化物半導体結晶層、及び窒化物半導体結晶層作製用の基材

Inventor：
澤木 宣彦

About 澤木 宣彦

, 
本田 善央

About 本田 善央

, 
西村 慶之

About 西村 慶之


Applicant, Patent owner：
国立大学法人名古屋大学

About 国立大学法人名古屋大学


Agent (8)： 杉村 興作 ,  高見 和明 ,  徳永 博 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志 ,  大山 健次郎 ,  冨田 和幸 ,  阿相 順一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003370790
Publication number (International publication number)：2005136200
Application date： Oct. 30, 2003
Publication date： May. 26, 2005
Summary：
【課題】大面積のシリコン基板上に一般式InxGayAlzN(0≦x,y,x≦1、x+y+z=1)で表される窒化物半導体結晶を厚く形成する技術を確立する。【解決手段】 シリコン基板11上に、矩形状の開口部12Aを有するマスク部材12を介し、選択及び横方向の結晶成長を通じて厚さ200nm以上のAlN微結晶層13を形成する。次いで、AlN微結晶層13上に、一般式InxGayAlzN(0≦x,y,x≦1、x+y+z=1)で表される窒化物半導体結晶層14を形成する。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
シリコン基板を準備する工程と、 前記シリコン基板上に、厚さ200nm以上のAlN微結晶層を形成する工程と、 前記AlN微結晶層上に、一般式InxGayAlzN(0≦x,y,x≦1、x+y+z=1)で表される窒化物半導体結晶層を形成する工程と、 を具えることを特徴とする、窒化物半導体結晶層の作製方法。
IPC (3)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38
FI (3)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 D
F-Term (31)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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