半導体素子、エピタキシャル基板、半導体素子の製造方法、及びエピタキシャル基板の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001314768
Publication number (International publication number)：2003124124
Application date： Oct. 12, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】転位密度を低減させて結晶品質に優れた半導体素子、及びこれに使用するエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】単結晶材料からなる基材11上に、Al含有III族窒化物からなる下地層12を形成する。次いで、下地層12上にマスク14をパターン状に形成し、マスク14を介してファセット15を有し、III族窒化物からなる初期エピタキシャル成長層16を形成する。その後、初期エピタキシャル成長層16を埋設し、平坦化するようにして再度前記III族窒化物をエピタキシャル成長させ、ファセット15を有する中間層13を形成する。

Claim (excerpt)：

単結晶材料からなる基材と、この基材に隣接して形成されたAl含有の第1のIII族窒化物からなる下地層と、この下地層に隣接して形成された第2のIII族窒化物からなる中間層と、この中間層に隣接して形成された第3のIII族窒化物からなる半導体素子層とを具え、前記中間層は、前記下地層から一定の角度で傾斜して立ち上がったファセットを有することを特徴とする、半導体素子。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C30B 29/38

FI (2)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 C

F-Term (27)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077EE07 , 4G077EF03 , 4G077TB05 , 4G077TC14 , 4G077TC16 , 4G077TC19 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA09 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F045DB02 , 5F045DB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化物半導体、半導体素子およびこれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-051583 Applicant：ソニー株式会社
GaN結晶膜、III族元素窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-211044 Applicant：日本電気株式会社
III族窒化物系化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-315193 Applicant：豊田合成株式会社

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