半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

Inventor： , , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995208037
Publication number (International publication number)：1997055479
Application date： Aug. 15, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【目的】 COB構造を有するDRAMにおけるビット線用の接続孔およびキャパシタ用の接続孔の合わせ余裕を小さくする。【構成】 COB構造を有するDRAMの製造方法において、ワード線WLおよびビット線BLをキャップ絶縁膜7a, 11aおよびサイドウォール7b, 11bで被覆しておいて、それらによって接続孔9a1,9b1,9b2 を自己整合的に規定した状態で穿孔する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に配線層を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。(a)半導体基板上に互いに隣接する複数の配線を形成する工程。(b)前記配線の上面および側面を窒化シリコンからなるキャップ絶縁膜および側壁絶縁膜によって被覆する工程。(c)前記半導体基板上に、前記窒化シリコンよりもエッチング速度の速い材料からなる上面の平坦な絶縁膜を形成して、前記キャップ絶縁膜および側壁絶縁膜を被覆する工程。(d)前記絶縁膜の上面に、その絶縁膜よりもエッチング速度の遅い材料からなるマスク膜を堆積した後、そのマスク膜のうち、前記互いに隣接する複数の配線間に位置する接続孔形成領域を開口する工程。(e)前記マスク膜の開口領域から露出する前記絶縁膜をエッチング除去することにより、前記キャップ絶縁膜および側壁絶縁膜によって自己整合的に規定される接続孔を形成する工程。

IPC (2)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 681 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

セルフアライン・コンタクト孔の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-319550 Applicant：日本電気株式会社
特開平3-106027
タングステンコンタクトコア・スタックキャパシタおよびその成形方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-314390 Applicant：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド

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