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J-GLOBAL ID：200903005864353662

光電変換素子の製造方法、光電変換素子および電子機器

Inventor：
森井 克行

About 森井 克行

, 
宮本 勉

About 宮本 勉

, 
藤森 裕司

About 藤森 裕司


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (2)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005355428
Publication number (International publication number)：2006279018
Application date： Dec. 08, 2005
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：
【課題】光電変換効率に優れる光電変換素子を製造し得る光電変換素子の製造方法、この光電変換素子の製造方法により製造された光電変換素子、および、かかる光電変換素子を備える電子機器を提供すること。【解決手段】太陽電池(光電変換素子)1は、陰極3の一方の面側に設けられた、多孔質な電子輸送層4を用意する第1の工程、電子輸送層4に接触するように、色素層Dを形成する第2の工程、電子輸送層4の陰極3と反対側から、第1の半導体材料を含有する第1の液状材料を供給した後、第2の半導体材料を含有する第2の液状材料を供給して、色素層Dに接触する正孔輸送層5を形成する第3の工程、正孔輸送層5の陰極3と反対側に、陰極3に対向する陽極6を形成する第4の工程を経て製造する際に、第3の工程において、第1の液状材料として、第2の液状材料より常温での粘度が低いものを用いる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
陽極と陰極との間に、第1のキャリア輸送層と、色素層と、第2のキャリア輸送層とを介挿してなる光電変換素子を製造する方法であって、 前記第1のキャリア輸送層を形成する第1の工程と、 前記第1のキャリア輸送層に接触するように、前記色素層を形成する第2の工程と、 前記色素層に接触するように、前記第2のキャリア輸送層を形成する第3の工程とを有し、 前記第1のキャリア輸送層および前記第2のキャリア輸送層のうちの少なくとも一方を液相成膜法により形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
IPC (1)：
H01L 51/42
FI (1)：
H01L31/04 D
F-Term (13)：
5F051AA11 ,  5F051AA12 ,  5F051CB11 ,  5F051CB13 ,  5F051CB21 ,  5F051CB30 ,  5F051DA07 ,  5F051DA20 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 光電変換素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-019130   Applicant：セイコーエプソン株式会社
Cited by examiner (6)
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