Pat
J-GLOBAL ID：200903072500664505

光電変換素子の製造方法、光電変換素子および電子機器

Inventor：
宮本 勉

About 宮本 勉

, 
藤森 裕司

About 藤森 裕司

, 
笠原 幸雄

About 笠原 幸雄


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (2)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003018054
Publication number (International publication number)：2004228537
Application date： Jan. 27, 2003
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：
【課題】光電変換効率に優れる光電変換素子を製造し得る光電変換素子の製造方法、光電変換効率に優れる光電変換素子、および、この光電変換素子を備える電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の光電変換素子の製造方法は、基板2上に、第1の電極3を形成する工程と、第1の電極3上に、緻密質層(緻密質な電子輸送層)41を形成する工程と、緻密質層41と接触するよう多孔質層(多孔質な電子輸送層)42を形成する工程と、多孔質層42と接触するよう色素層Dを形成する工程と、色素層Dと接触するよう正孔輸送層5を形成する工程と、正孔輸送層5上に、第2の電極6を形成する工程とを有し、例えば、緻密質層41を、低温スパッタリング法により、または、緻密質層41形成用の液体を用いて膜を形成し、この膜に水熱処理を施すことにより得る。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に、第1の電極を形成する工程と、 該第1の電極上に、少なくとも一部が多孔質な電子輸送層を形成する工程と、 該電子輸送層と接触するよう色素層を形成する工程と、 該色素層と接触するよう正孔輸送層を形成する工程と、 該正孔輸送層上に、第2の電極を形成する工程とを有する光電変換素子の製造方法であって、 前記第1の電極を、該第1の電極形成用の液体を用いて膜を形成し、該膜に水熱処理を施すことにより得ることを特徴とする光電変換素子の製造方法。
IPC (2)：
H01L31/04 ,  H01M14/00
FI (2)：
H01L31/04 Z ,  H01M14/00 P
F-Term (15)：
5F051AA07 ,  5F051AA14 ,  5F051CB24 ,  5F051CB30 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032EE16 ,  5H032HH06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM