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J-GLOBAL ID:200903006131975302
プラズマ処理装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小川 勝男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997227766
Publication number (International publication number):1999067494
Application date: Aug. 25, 1997
Publication date: Mar. 09, 1999
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】高周波アンテナは、処理チャンバ中のプラズマに対して、石英などの絶縁材を介して、大気側に配置されるが、チャンバ内部でのプラズマによるイオンの衝撃や化学的な反応等の加熱を抑え、絶縁材の真空シール部に用いられるフッ素ゴム等のOリング破損、リーク、フッ素系の異物の原因を除去する。【解決手段】円筒状の絶縁管8の周囲に高周波アンテナ12を配したプラズマ装置において、高周波アンテナのさらに外側にアンテナを横切るように切ったスリットを持つ円管状の金属部材15を設置し、ファン19等によって、この円管状部材と絶縁管に囲まれたアンテナの部分の空気を上部に送り、加熱あるいは冷却されるラジエータによってこの空気の温度を調節した後、スリット付きの円筒状部材の外側に送り、スリットから、アンテナおよび絶縁管に吹出すようにして、放電部の空気を循環させる。
Claim (excerpt):
処理チャンバとガス導入手段と排気手段と高周波電源に接続されるプラズマ生成用の誘導アンテナを備えたプラズマ処理装置において、絶縁材料で形成された放電管あるいは、平板あるいはドームの近傍に誘導アンテナを配置し、前記アンテナの外側または上部を覆う囲い部材と、前記部材を覆うカバーと、前記放電管と前記部材によって囲まれる部分の空気を前記部材に設けられたスリットあるいは穴を通して循環させることによって放電管の温度調節を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6):
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
FI (6):
H05H 1/46 L
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-136001
Applicant:アネルバ株式会社
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バレル型アツシヤ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-158152
Applicant:富士通株式会社
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バレル型気相成長装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-066983
Applicant:信越半導体株式会社
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プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-160076
Applicant:大日本スクリーン製造株式会社
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スパッタリング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-074646
Applicant:三星電子株式会社
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