光ディスク保護膜形成スパッタリングターゲット

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小越勇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999188104
Publication number (International publication number)：2001011615
Application date： Jul. 01, 1999
Publication date： Jan. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】パーティクルの発生を著しく減少させ、スパッタリングの中断または中止の回数を減らして生産効率を上げ、誘電体保護層を得ることができる光ディスク保護膜形成スパッタリングターゲットを得る。【解決手段】光ディスク保護膜形成スパッタリングターゲット保護膜用材料をZnS-SiO2-ZnOの三成分系材料から構成し、特にZnS-SiO2-ZnOの三成分系材料において、ZnS、SiO2、ZnOのモル比を、それぞれ図1に示す80:10:10(A点)、47.5:5:47.5(B点)、25:25:50(C点)、5:47.5:47.5(D点)、25:50:25(E点)、47.5:47.5:5(F点)であるA〜Fで囲まれる範囲とするZnS-SiO2-ZnOの三成分系材料からなる光ディスク保護膜形成スパッタリングターゲット。

Claim (excerpt)：

ZnS-SiO2-ZnOの三成分系材料からなることを特徴とする光ディスク保護膜形成スパッタリングターゲット。

IPC (2)：

C23C 14/34 , G11B 7/26

FI (2)：

C23C 14/34 A , G11B 7/26

F-Term (8)：

4K029BA50 , 4K029BD00 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 5D121AA04 , 5D121EE03 , 5D121EE09 , 5D121EE14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット材料およびその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-187266 Applicant：同和鉱業株式会社
特開平4-136164
特開平4-136164

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