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J-GLOBAL ID：200903006436506701

トレンチ隔離形成方法

Inventor：
呉 容哲

About 呉 容哲


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 志賀 正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999126435
Publication number (International publication number)：1999340313
Application date： May. 06, 1999
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 トレンチ隔離の絶縁特性を向上させ、ゲート酸化膜の信頼度を確保するトレンチ隔離形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板100上にトレンチ形成領域を定義して少なくとも一つの窒化膜を含むトレンチマスク層106が形成される。トレンチを形成するためにトレンチマスク層106を使用して半導体基板がエッチングされる。トレンチ内壁に熱酸化膜112が形成された後、熱酸化膜112上に後続酸化工程時トレンチ内壁の酸化を防止するためのシリコン窒化膜114が形成される。トレンチを完全に充填するようにトレンチ隔離膜116が形成される。湿式エッチング溶液を使用してトレンチマスク層106がストリップされる。ストリップ工程時発生された酸化防止用窒化膜114のリセス部位を充填するために半導体基板100上に高温酸化膜120が形成されることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にトレンチ形成領域を定義して少なくとも一つの第1窒化膜を含むトレンチマスク層を形成する段階と、トレンチを形成するために前記トレンチマスク層を使用して半導体基板をエッチングする段階と、前記エッチング段階で発生された基板損傷を除去するためにトレンチの両側壁及び底に熱酸化膜を形成する段階と、前記熱酸化膜上にトレンチの両側壁及び底の酸化を防止するための第2窒化膜を形成する段階と、前記トレンチを完全に充填するようにトレンチ隔離膜を形成する段階と、湿式エッチング溶液を使用して前記トレンチマスク層をストリップする段階と、前記ストリップ工程により発生された第2窒化膜のリセス部位を充填するために半導体基板上に高温酸化膜を形成する段階と、前記半導体基板の上部表面が露出される時まで前記高温酸化膜及びトレンチ隔離膜を平坦化エッチングしてトレンチ隔離を形成する段階とを含むことを特徴とするトレンチ隔離形成方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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