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J-GLOBAL ID：200903049139774404

半導体装置の製造方法

Inventor：
相馬 春木

About 相馬 春木

, 
内田 敏弘

About 内田 敏弘

, 
佐藤 正幸

About 佐藤 正幸


Applicant, Patent owner：
FASL JAPAN 株式会社

About FASL JAPAN 株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002376622
Publication number (International publication number)：2004207590
Application date： Dec. 26, 2002
Publication date： Jul. 22, 2004
Summary：
【課題】レジスト工程の現像処理においてレジスト残渣の発生を防止し、動作信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置のレジスト工程において、レジスト膜を形成する工程前に、レジストの塗布面を酸素ガスや窒素ガスを含むプロセスガスを流しながらプラズマを発生させ、乖離した酸素ラジカル(O*)や、酸素イオン、窒素ラジカル(N*)、窒素イオンにより前記塗布面(側壁絶縁膜39、シリコン基板21等の表面)に残留する有機物、パーティクル等を除去すると共に表面を改質するプラズマ処理工程を設ける。【選択図】 図7
Claim (excerpt)：
感光性樹脂を塗布してレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜を選択的に露光する工程と、 前記レジスト膜を現像して開口部を設ける工程とを備えた半導体装置の製造方法において、 前記レジスト膜を形成する工程前に前記感光性樹脂の塗布面をプラズマ処理するプラズマ処理工程を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L21/027 ,  G03F7/38 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (4)：
H01L21/30 563 ,  G03F7/38 501 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
F-Term (24)：
2H096AA25 ,  2H096CA20 ,  2H096JA02 ,  5F046HA05 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083JA04 ,  5F083JA33 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR01 ,  5F083PR40 ,  5F101BA19 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD07 ,  5F101BD10 ,  5F101BD35 ,  5F101BH30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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