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J-GLOBAL ID：200903006536408979

磁気メモリおよび磁気メモリの製造方法

Inventor：
道嶋 正司

About 道嶋 正司

, 
林 秀和

About 林 秀和

, 
南方 量二

About 南方 量二


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001010864
Publication number (International publication number)：2002217382
Application date： Jan. 18, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：
【要約】【課題】 高密度化しても、メモリ層に記録された磁化状態が安定に存在し、かつ消費電力が小さい複数の磁気メモリ素子からなる磁気メモリおよび磁気メモリの製造方法を提供する。【解決手段】 一軸異方性の面内磁化を有する第1強磁性層11を形成し、第1強磁性層11の磁化方向に対して直交方向に隣接する他の磁気メモリ素子と連結して電流を流すワード線12を形成し、ワード線12上と各磁気メモリ素子1間を充填する絶縁層19を形成し、下部電極となる第2導体層13を形成する工程と、第1強磁性層11と同じ方向の一軸異方性の面内磁化を有する強磁性層と絶縁層とで構成される記憶部24を形成し、上部電極であり、第1強磁性層11の磁化方向と平行な方向に隣接する他の磁気メモリ素子と連結して電流を流すビット線18を形成する。
Claim (excerpt)：
複数の強磁性層と絶縁層とを積層して構成されており、磁化情報が記録される記憶部を備え、トンネル効果により記憶部を流れる電流の抵抗変化を検出して磁化情報の再生を行う磁気メモリの製造方法において、基板上に一軸異方性の面内磁化を有する第1強磁性層を形成する工程と、上記第1強磁性層の磁化方向に対して直交方向に隣接する磁気メモリ素子と連結して電流を供給する第1導体層を形成する工程と、絶縁層を、上記第1導体層上を覆い、また各磁気メモリ素子間を充填するように形成する工程と、上記抵抗変化を検出する下部電極となる第2導体層を形成する工程と、第1強磁性層の磁化と平行な軸上に一軸異方性の面内磁化を有する複数の強磁性層と絶縁層とを備えた記憶部を形成する工程と、上記抵抗変化を検出する上部電極であるとともに、第1強磁性層の磁化方向に対して平行な方向に隣接する磁気メモリ素子と連結して電流を供給する第3導体層を形成する工程とを含んでいることを特徴とする磁気メモリの製造方法。
IPC (5)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08
FI (5)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
F-Term (7)：
5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5F083FZ10 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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