反射防止膜形成組成物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萼経夫 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002101487
Publication number (International publication number)：2003295456
Application date： Apr. 03, 2002
Publication date： Oct. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】反射光防止効果が高く、レジスト層とのインターミキシングを起こさない、F2エキシマレーザー(波長157nm)の照射光を用いたリソグラフィープロセスにおいて使用できる反射防止膜形成組成物を提供すること。【解決手段】炭素炭素三重結合を含有する高分子化合物を含む半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用できる反射防止膜形成組成物。前記高分子化合物は、主鎖及び/又は主鎖と連結する側鎖に炭素炭素三重結合が導入されたものである。

Claim (excerpt)：

炭素炭素三重結合を含有する繰り返し単位構造を有する高分子化合物を含むことを特徴とする反射防止膜形成組成物。

IPC (10)：

G03F 7/11 503 , C08F 8/00 , C08F 12/04 , C08F 16/14 , C08F 20/10 , C08F 22/40 , C08G 8/30 , C08G 83/00 , G03F 7/20 502 , H01L 21/027

FI (10)：

G03F 7/11 503 , C08F 8/00 , C08F 12/04 , C08F 16/14 , C08F 20/10 , C08F 22/40 , C08G 8/30 , C08G 83/00 , G03F 7/20 502 , H01L 21/30 574

F-Term (50)：

2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025DA34 , 2H097CA13 , 2H097GB00 , 2H097LA10 , 4J031AA13 , 4J031AA15 , 4J031AA16 , 4J031AA19 , 4J031AA20 , 4J031AA22 , 4J031AA44 , 4J031AA46 , 4J031AA49 , 4J031AA56 , 4J031AA57 , 4J031AC01 , 4J031AC03 , 4J031AC04 , 4J031AC08 , 4J031AE03 , 4J031AF26 , 4J031AF30 , 4J031BA06 , 4J031BA07 , 4J031BA08 , 4J031BA11 , 4J031BA15 , 4J031BB01 , 4J031BB02 , 4J031BB03 , 4J031BB04 , 4J031BC03 , 4J031BC11 , 4J031BD26 , 4J031BD30 , 4J033CA11 , 4J100AT08P , 4J100BA02P , 4J100BA03P , 4J100BA11P , 4J100BA15P , 4J100BA22P , 4J100BA27P , 4J100BA34P , 4J100BA43P , 5F046PA07 , 5F046PA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-048251 Applicant：株式会社東芝
パタ-ントランスファ組成物及びパタ-ントランスファ方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-372465 Applicant：株式会社東芝
可溶性フタロシアニン前駆物質を使用して高分子有機材料を内部着色する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-116267 Applicant：チバ-ガイギーアクチエンゲゼルシャフト

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