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J-GLOBAL ID:200903006592781461

位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤村 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001243317
Publication number (International publication number):2002162726
Application date: Aug. 10, 2001
Publication date: Jun. 07, 2002
Summary:
【要約】【課題】 所定の位相角及び透過率を有し、耐薬品性、耐光性、及び内部応力などの膜特性に優れた光半透過膜又は光半透過部を有する位相シフトマスクブランクの製造方法等を提供する。【解決手段】 透明基板上に、光半透過膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法であって、前記透明基板上に、窒素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする薄膜からなる光半透過膜を形成した後、該光半透過膜を150°C以上で熱処理を行うことを特徴とする。
Claim (excerpt):
透明基板上に、光半透過膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法であって、前記透明基板上に、窒素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする薄膜を少なくとも1層含む光半透過膜を形成した後、該光半透過膜を150°C以上で熱処理を行うことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法。
IPC (2):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (4):
G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 G ,  G03F 1/08 L ,  H01L 21/30 502 P
F-Term (6):
2H095BB03 ,  2H095BB31 ,  2H095BB37 ,  2H095BB38 ,  2H095BC05 ,  2H095BC24
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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