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J-GLOBAL ID：200903006719489110

III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイスおよびシステム

Inventor：
岩田 浩和

About 岩田 浩和

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皿山 正二

About 皿山 正二

, 
島田 昌彦

About 島田 昌彦

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山根 久典

About 山根 久典

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青木 真登

About 青木 真登


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004013562
Publication number (International publication number)：2005206409
Application date： Jan. 21, 2004
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：
【課題】 従来よりも低コストで、実用的な大きさの大型,大面積の高品質なIII族窒化物結晶を作製することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した融液25からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、前記融液25に、III族窒化物結晶のc軸に垂直な方向の成長速度をc軸方向の成長速度よりも速くする物質(例えば、リチウム)を含ませて、III族窒化物結晶30を成長させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、前記融液に、III族窒化物結晶のc軸方向の成長速度とc軸に垂直な方向の成長速度との比率を制御する物質を含ませることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
IPC (5)：
C30B29/38 ,  C30B11/06 ,  H01L31/108 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (5)：
C30B29/38 D ,  C30B11/06 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  H01L31/10 C
F-Term (42)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077EA06 ,  4G077EC08 ,  4G077EJ09 ,  4G077HA12 ,  4G077MB12 ,  4G077MB35 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA63 ,  5F041CA65 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041DA18 ,  5F041DB01 ,  5F041EE17 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11 ,  5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NA18 ,  5F049PA02 ,  5F049PA04 ,  5F049QA02 ,  5F049SE05 ,  5F049SS04 ,  5F049WA05 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA03 ,  5F073CB02 ,  5F073DA02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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