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J-GLOBAL ID：200903007084980048

レジストパターンの形成方法

Inventor：
清水 義之

About 清水 義之


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994214415
Publication number (International publication number)：1996076382
Application date： Sep. 08, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 大気中の汚染物質に起因するPED現象、および、保護膜中の酸または塩基のレジストの層への拡散に起因するPED現象の発生を同時に抑制できるレジストパターンの形成方法の提供。【構成】 下地11上に、ネガ型で酸触媒型化学増幅系レジストの層13を形成する。次に、分子量分布が、5000、50000および500000の互いに異なる複数のピークを有する酸性ポリマーのポリアクリル酸を以って、厚さ500Åの保護膜15を形成する。次に、レジストの層13を保護膜15を介して、光により選択的に露光する。次に、保護膜15を除去した後、露光済の試料を熱処理、現像して所望のレジストパターン13aを得る。
Claim (excerpt)：
化学増幅系レジストの層に対して選択的な露光をし、該露光済の試料を熱処理し、該熱処理済の試料を現像して所望のレジストパターンを形成するにあたり、少なくとも露光後から熱処理を行う前までの時期は、化学増幅系レジストの層上に、有機材料からなる保護膜を設け、前記化学増幅系レジストが酸触媒型のものである場合は、酸性ポリマーまたは酸発生剤を含有するポリマーを以って前記保護膜を構成し、前記化学増幅系レジストが塩基触媒型のものである場合は、塩基性ポリマーまたは塩基発生剤を含有するポリマーを以って前記保護膜を形成するレジストパターンの形成方法において、前記保護膜を形成するポリマーとして、分子量分布が互いに異なる複数のピークを有するポリマーを使用することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (3)：
G03F 7/11 501 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027
FI (2)：
H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 575
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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