半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北野好人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002066524
Publication number (International publication number)：2003264245
Application date： Mar. 12, 2002
Publication date： Sep. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】貴金属電極を用いたキャパシタを有する半導体装置及びその製造方法において、貴金属によるクロスコンタミを防止しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】下部電極76と、下部電極76上に形成されたキャパシタ誘電体膜78と、キャパシタ誘電体膜78上に形成された貴金属よりなる上部電極88と、上部電極88上に形成され、上部電極88とほぼ等しい形状にパターニングされ、構成元素に酸素を含まない膜82とを有する。このように半導体装置を構成することにより、上部電極88上に酸素を含む雰囲気中で成膜を行う際に貴金属材料が酸化・昇華することを抑制することができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成されたキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された貴金属よりなる上部電極と、前記上部電極上に形成され、前記上部電極とほぼ等しい形状にパターニングされ、構成元素に酸素を含まない第1の膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/8242 , H01L 27/108

F-Term (27)：

5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083AD56 , 5F083GA25 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA19 , 5F083JA32 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083LA21 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR21 , 5F083PR29 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-123927 Applicant：株式会社日立製作所
半導体構造素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-399178 Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-057505 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション

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