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J-GLOBAL ID：200903007380295490

磁気記憶装置及び磁気情報の書込み方法

Inventor：
佐藤 利江

About 佐藤 利江

, 
水島 公一

About 水島 公一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003426765
Publication number (International publication number)：2005191032
Application date： Dec. 24, 2003
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：
【課題】 小電流による磁気情報の書込みが可能な磁気記憶装置の提供。【解決手段】 磁化が固定された磁化固定層31と、磁化固定層31に積層されたトンネル絶縁層33と、トンネル絶縁層33に積層された磁化自由層35とを備え、磁化自由層はトンネル絶縁層33及び磁化固定層31と重なる接合部351、接合部351の両端に隣接して側部に磁壁ピン止め機構353aを備えたくびれ部353、及び、くびれ部353に隣接形成された、互いに反対向きの固定磁化が付与された一対の磁化固定部357とを具備し、磁化自由層の端部に形成された一対の磁気情報書込み用端子9とを備えることを特徴とする磁気記憶装置を提供する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
固定磁化が付与された導電性の磁化固定層と、 前記磁化固定層に積層形成されたトンネル絶縁層と、 前記トンネル絶縁層を介して前記磁化固定層と積層形成された接合部、前記接合部の一対の端部に隣接形成された磁壁ピン止め部、及び、前記磁壁ピン止め部に隣接する互いに反対向きの固定磁化が付与された一対の磁化固定部を具備する導電性の磁化自由層と、 前記一対の磁化固定部に電気接続し、前記磁化自由層の前記接合部、前記一対の磁壁ピン止め部及び前記一対の磁化固定部を貫通する電流を磁化自由層に流すための一対の磁気情報書込み用端子とを備えることを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (3)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08
FI (4)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 Z
F-Term (6)：
5F083FZ10 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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