半導体記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001373071
Publication number (International publication number)：2002270790
Application date： Dec. 06, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】クロストークの問題を回避することが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、第1の方向に延在する複数のビット線21と、このビット線21に接続する複数のTMR素子20と、第1の方向と異なる第2の方向に延在し、TMR素子20を挟んでビット線21と反対側に、TMR素子20と離間して配置された複数のワード線19と、隣接するワード線19にそれぞれ接続するトランジスタ23とを具備する。

Claim (excerpt)：

第1の方向に延在する複数の第1の配線と、前記第1の配線に接続する複数の記憶素子と、前記第1の方向と異なる第2の方向に延在し、前記記憶素子を挟んで前記第1の配線と反対側に、前記記憶素子と離間して配置された複数の第2の配線と、隣接する前記第2の配線にそれぞれ接続する第1のトランジスタ又は第1のダイオードとを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (11)：

5F083FZ10 , 5F083GA12 , 5F083LA10 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA18 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083NA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-254074 Applicant：株式会社東芝
磁気素子とそれを用いた磁気メモリおよび磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-187070 Applicant：株式会社東芝
磁気薄膜メモリ、磁気薄膜メモリの読出し方法、及び磁気薄膜メモリの書込み方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-302354 Applicant：キヤノン株式会社

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