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J-GLOBAL ID：200903007692653777

再成長オーミックコンタクト領域を有する窒化物ベースのトランジスタの製作方法及び再成長オーミックコンタクト領域を有する窒化物ベースのトランジスタ

Inventor： アダム ウィリアム サクスラー ,  リチャード ピーター スミス
Applicant, Patent owner： クリー インコーポレイテッド
Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007527194
Publication number (International publication number)：2007538402
Application date： Feb. 09, 2005
Publication date： Dec. 27, 2007
Summary：

トランジスタ製作は、基板上に窒化物ベースのチャネル層を形成すること、窒化物ベースのチャネル層上に障壁層を形成すること、窒化物ベースのチャネル層のコンタクト領域を露出させるように障壁層にコンタクト凹部を形成すること、例えば、低温堆積プロセスを使用して、窒化物ベースのチャネル層の露出されたコンタクト領域上にコンタクト層を形成すること、コンタクト層上にオーミックコンタクトを形成すること、及びオーミックコンタクトに隣接した障壁層上に配置されたゲートコンタクトを形成すること、を含んでいる。また、高電子移動度トランジスタ(HEMT)及びHEMTの製作方法が提供される。HEMTは、基板上の窒化物ベースのチャネル層と、窒化物ベースのチャネル層上の障壁層と、チャネル層の中まで延びる、障壁層のコンタクト凹部と、コンタクト凹部の中の窒化物ベースのチャネル層上の窒化物ベースのn型半導体材料のコンタクト領域と、窒化物ベースのコンタクト領域上のオーミックコンタクトと、このオーミックコンタクトに隣接した障壁層上に配置されたゲートコンタクトと、を含んでいる。窒化物ベースのn型半導体材料のコンタクト領域及び窒化物ベースのチャネル層は、表面積拡大構造を含んでいる。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化物ベースのチャネル層を形成するステップと、 前記窒化物ベースのチャネル層上に障壁層を形成するステップと、 前記窒化物ベースのチャネル層のコンタクト領域を露出させるように、前記障壁層にコンタクト凹部を形成するステップと、 低温堆積プロセスを使用して、前記窒化物ベースのチャネル層の前記露出されたコンタクト領域上にコンタクト層を形成するステップと、 前記コンタクト層上にオーミックコンタクトを形成するステップと、 前記オーミックコンタクトに隣接した前記障壁層上に配置されたゲートコンタクトを形成するステップと を有することを特徴とするトランジスタの製作方法。

IPC (5)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (5)：

H01L29/80 H ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 J ,  H01L29/80 F ,  H01L21/28 301B

F-Term (38)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD79 ,  4M104EE17 ,  4M104FF03 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR15 ,  5F102GS03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (18)

• 米国特許第5,192,987号明細書
  
• 米国特許第Re.34,861号明細書
  
• 米国特許第4,946,547号明細書
  
• 米国特許第5,200,022号明細書
  
• 米国特許第6,218,680号明細書
  
• 米国特許第5,210,051号明細書
  
• 米国特許第5,393,993号明細書
  
• 米国特許第5,523,589号明細書
  
• 米国特許第5,292,501号明細書
  
• 米国特許出願第10/102,272号明細書
  
• 米国特許第5,296,395号明細書
  
• 米国特許第6,316,793号明細書
  
• 米国特許第6,316,793号明細書
  
• 米国特許出願第09/904,333号明細書
  
• 米国特許仮出願第60/290,195号明細書
  
• 米国特許出願第10/102,272号明細書
  
• 米国特許出願第10/199,786号明細書
  
• 米国特許出願第60/337,687号明細書
  

Cited by examiner (6)

• GaN系高移動度トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-385219   Applicant：古河電気工業株式会社
• III族窒化物半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-265854   Applicant：日本電気株式会社
• 窒化物系III-V族化合物半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-344219   Applicant：シャープ株式会社
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-068013   Applicant：富士通カンタムデバイス株式会社
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-192722   Applicant：三洋電機株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-218214   Applicant：日亜化学工業株式会社