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J-GLOBAL ID：200903007839390351

LEDプリントヘッド、およびLEDアレイチップ、ならびにそのLEDアレイチップの製造方法

Inventor： 尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 吉田 稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994199345
Publication number (International publication number)：1996058155
Application date： Aug. 24, 1994
Publication date： Mar. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】 LEDプリントヘッドの光源として、感光剤に対して有用な特性を備えた光を発する半導体発光素子ないしLEDアレイチップを提供して、使用可能な感光剤の種類が特定のものに限定されないようにする。【構成】 絶縁性基板2の表面上に、窒化ガリウム系化合物半導体の積層部3を備えるとともに、この積層部3が550nm以下の波長の光を発する積層構造となるように構成されている半導体発光素子(LEDアレイチップ1)を、LEDプリントヘッドの感光体に対して光を照射するための光源とする。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板の表面上に、窒化ガリウム系化合物半導体の積層部を備えるとともに、この積層部が550nm以下の波長の光を発する積層構造となるように構成されている半導体発光素子を、感光体に対して光を照射するための光源としたことを特徴とする、LEDプリントヘッド。

IPC (5)：

B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455 ,  H01L 33/00 ,  H04N 1/036

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 端面発光型発光ダイオードアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-126322   Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-176855   Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
• 窒化インジウムガリウム半導体およびその成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-106556   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-106557   Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (4)

• 窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-106557   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化インジウムガリウム半導体およびその成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-106556   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-176855   Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
• 端面発光型発光ダイオードアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-126322   Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社