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J-GLOBAL ID:200903008331785772

同軸磁化プラズマ生成装置と同軸磁化プラズマ生成装置を用いた膜形成装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 有賀 正光
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005131611
Publication number (International publication number):2006310101
Application date: Apr. 28, 2005
Publication date: Nov. 09, 2006
Summary:
【課題】 同軸磁化プラズマ生成装置において、プラズマ塊を連続的に安定して生成すること。【解決手段】 外部導体23と内部導体24を同軸状に配置し、外部導体23のリング状凸部231の付近にバイアス磁界発生用の円筒状の電磁コイル27を配置してある。外部導体23と内部導体24には、パワークローバ回路25(容量の小さいコンデンサC1と容量の大きいコンデンサC2からなる)を接続してある。コンデンサC1の充電電圧は、コンデンサC2の充電電圧よりも高く充電してある。ガス供給管22からプラズマ生成ガスを供給し、パワークローバ回路25の充電電圧を外部導体23と内部導体24に印加すると、リング状凸部231と内部導体24の間に放電が発生してプラズマPが生成する。プラズマPは、ローレンツ力により加速されて開放端へ移動し、プラズマ塊PMとなって放出される。パワークローバ回路25は、コンデンサC1,C2を組み合わせることにより、立ち上りが急峻で減衰が緩やかな負荷電流を発生することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
同軸状に配置した外部導体と内部導体、外部導体と内部導体の間の空間にプラズマ生成ガスを供給するプラズマ生成ガス供給部を備え、外部導体と内部導体のいずれか一方の対向面、又は双方の対向面にリング状凸部を形成してあり、外部導体と内部導体の間にパワークローバ回路を接続してあることを特徴とする同軸磁化プラズマ生成装置。
IPC (6):
H05H 1/24 ,  C23C 14/32 ,  H02M 9/04 ,  H05H 1/26 ,  H05H 1/36 ,  H05H 1/40
FI (6):
H05H1/24 ,  C23C14/32 B ,  H02M9/04 Z ,  H05H1/26 ,  H05H1/36 ,  H05H1/40
F-Term (12):
4K029CA03 ,  4K029DD00 ,  4K029DE02 ,  4K029EA06 ,  5H790BA08 ,  5H790BB08 ,  5H790CC01 ,  5H790DD06 ,  5H790EA01 ,  5H790EA03 ,  5H790EA04 ,  5H790EA20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
  • パルス電源
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-344479   Applicant:ニチコン株式会社
  • イオンプレーティング装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-058597   Applicant:石川島播磨重工業株式会社
  • プラズマ生成加速装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-304037   Applicant:三菱重工業株式会社
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Article cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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